GaAs赤外LEDとダーリントン型フォトトランジスタを光結合させた、DIPの高耐ノイズ、高絶縁型のフォトカプラです。 仕様 ・回路数:1回路 ・絶縁耐圧:～5000V ・入力方式:片方向 ・出力方式:フォトトランジスタ ・2次耐圧:～300V ・出力電流:～150mA ・伝搬遅延H/L:50μs ・伝搬遅延L/H：15μs ・立ち上がり時間:40μs ・立ち下がり時間:15μs ・1次順電圧:1.15V ・1次順電流:～60mA ・変換効率:4000% ・動作温度:-55～+100℃ ・実装タイプ:スルーホール ・パッケージ:DIP4 ・メーカー:株式会社東芝セミコンダクター社