
GaAs赤外LEDとダーリントン型フォトトランジスタを光結合させた、DIPの高耐ノイズ、高絶縁型のフォトカプラです。
仕様
・回路数:1回路
・絶縁耐圧:~5000V
・入力方式:片方向
・出力方式:フォトトランジスタ
・2次耐圧:~300V
・出力電流:~150mA
・伝搬遅延H/L:50μs
・伝搬遅延L/H:15μs
・立ち上がり時間:40μs
・立ち下がり時間:15μs
・1次順電圧:1.15V
・1次順電流:~60mA
・変換効率:4000%
・動作温度:-55~+100℃
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:DIP4
・メーカー:株式会社東芝セミコンダクター社