フォトMOSFETと赤外発光ダイオードを光結合させた4ピンSO6のフォトリレーです。高電流のオンオフ制御に適しています。 仕様 ・回路数:1回路 ・絶縁耐圧:～3750V ・入力方式:片方向 ・出力方式:フォトリレー(a接点) ・2次耐圧:～60V ・出力電流:～500mA ・オン抵抗:～2Ω(最大) ・1次順電圧:1.27V ・1次順電流:～30mA ・伝搬遅延H/L:0.1ms ・伝搬遅延L/H:0.6ms ・トリガー電流:～3mA(最大) ・動作温度:-40～+85℃ ・実装タイプ:表面実装 ・パッケージ:11-4M1S(SOP6) ・取り扱い日:2023年3月 データシート↓ https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/photorelay-mosfet-output/detail.TLP172AM.html