NチャンネルパワーMOSFETです。 仕様 ・ドレイン・ソース間電圧:60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン・ゲート間電圧:60V ・ドレイン電流(DC):25A ・ドレイン・ソース間オン抵抗:0.057Ω ・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:N ・許容損失(25℃):35W ・パッケージ:TO-220SIS(SC-67/2-10R1B) ・重量:1.9g ・メーカー:TOSHIBA ・取り扱い日:2023年10月12日