入力容量も小さくパワーMOSFETのゲートドライブなどのスイッチング用途に最適です。 仕様 ・ドレイン・ソース間電圧:60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン電流(DC):200mA ・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.2Ω ・許容損失:400mW ・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:N ・パッケージ:TO-92 ・メーカー:ONセミコンダクタ ・取り扱い日:2023年11月22日