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NchパワーMOSFET (TK8S06K3L)(60V8A)

90円

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オン抵抗と漏れ電流が低く、効率的なスイッチング動作ができます。 仕様 ・チャネル:N ・ドレインソース間電圧:60V ・ドレイン電流DC:8A ・ピークドレイン電流:16A ・ゲートソース間電圧:±20V ・ゲート漏れ電流:±10μA ・オン抵抗:43mΩ ・最大許容損失:25W ・実装タイプ:表面実装 ・パッケージ:DPAK+(2-7M1A) ・端子数:3 ・端子ピッチ:2.3mmピッチ ・メーカー:TOSHIBA ・取り扱い日:2026年9月29日

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